Samsung Lança Memória Turbinada para IA e quebra Recorde
A Samsung lança a nova geração de memórias 3D voltadas para o setor de inteligência artificial, com promessa de acelerar o processamento de dados e alcançar um marco histórico ao empilhar mais de 400 camadas de células de armazenamento no mesmo chip.
Com a promessa de acelerar o processamento de dados, a companhia apresentou a nova arquitetura zHBM, que permite processamento direto na memória, e alcançou um marco histórico ao empilhar mais de 400 camadas de células de armazenamento no mesmo chip.
A nova tecnologia oferece até oito vezes mais velocidade e triplica a eficiência energética, reduzindo a distância entre os chips de processamento e os módulos de memória, o que permite que os dados viajem de forma mais eficiente.
A redução na distância faz com que os dados viajem de forma mais eficiente, o que é fundamental para os servidores de IA, que precisam processar bilhões de parâmetros para treinar grandes modelos de linguagem.
A Samsung também apresentou a memória LPDDR5X-PIM, que permite processamento direto na memória, e o padrão de memória V10 BV-NAND, que aumenta a densidade em 58%, alcançando um novo recorde tecnológico.
A tecnologia deve ser usada por grandes empresas de IA, como OpenAI, Microsoft e Google, mas pode impactar também a produção de memórias tradicionais e o preço de eletrônicos.
A Samsung divulgou a nova geração de memórias 3D voltadas para o setor de inteligência artificial durante a conferência Future of Memory and Storage 2026, e a empresa está em posição de vantagem como fornecedora para o concorrido ecossistema da IA.
Com informacoes de Tecnoblog.

